San Jose - Samsung Electronics CO. သည်တစ်နှစ်အတွင်းဒက်စုပ်စက် (3D) ထုပ်ပိုးခြင်းဆိုင်ရာ 0 န်ဆောင်မှုများကိုပြုလုပ်လိမ့်မည်ဟုကုမ္ပဏီနှင့်စက်မှုလုပ်ငန်းရင်းမြစ်များအရ,
ဇွန်လ 20 ရက်နေ့တွင်ကမ္ဘာ့အကြီးဆုံးမှတ်ဉာဏ် Chipmaker သည် San Jose, San Jose တွင်ကျင်းပသော Samsung Finging Forum တွင် 0 န်ဆောင်မှုပေးသည့်နည်းပညာနှင့် 0 န်ဆောင်မှုလမ်းပြမြေပုံကိုထုတ်ဖော်ပြသခဲ့သည်။
အများပြည်သူဆိုင်ရာအဖြစ်အပျက်တစ်ခုတွင် HBM ချစ်ပ်များအတွက် 3D ထုပ်ပိုးနည်းပညာကို Samsung သည်ပထမဆုံးအကြိမ်အဖြစ်ထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။ လက်ရှိတွင် HBM ချစ်ပ်များကိုအဓိကအားဖြင့် 2.5D နည်းပညာဖြင့်ထုပ်ပိုးထားသည်။
Nvidia ပူးတွဲတည်ထောင်သူနှင့်အမှုဆောင်အရာရှိချုပ် Jensen Huang သည်နှစ်ပတ်အကြာတွင်ထိုင်ဝမ်တွင်မိန့်ခွန်းပြောကြားစဉ်ကအာတီပလက်ဖောင်း၏ဗိသုကာပရီလင်၏ဗိသုကာလက်ရာအသစ်ကိုပြသခဲ့သည်။
2026 ခုနှစ်တွင် Nvidia ၏ Rubin GPU မော်ဒယ်တွင် HBM4 ကိုထည့်သွင်းနိုင်ဖွယ်ရှိသည်။
ဒေါင်လိုက်ဆက်သွယ်မှု
Samsung ၏နောက်ဆုံးပေါ်ထုပ်ပိုးခြင်းနည်းပညာသည် HBM ချစ်ပ်များတပ်ဆင်ထားသည့် HBM ချစ်ပ်များတပ်ဆင်ထားသည့်အချက်အလက်များလေ့လာခြင်းနှင့်အခွပါ 0 င်မှုပြုလုပ်ရန်အတွက်အချက်အလက်များကိုတိုးပွားလာသော AI chip ဈေးကွက်တွင်ပါ 0 င်သည်။
လက်ရှိတွင် HBM ချစ်ပ်များသည် 2.5D ထုပ်ပိုးသည့်နည်းပညာအောက်တွင်ဆီလီကွန် interposer ပေါ်တွင် GPU နှင့်အလျားလိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည်။
နှိုင်းယှဉ်ခြင်းအားဖြင့် 3D ထုပ်ပိုးခြင်းသည်ဆီလီကွန် interposer သို့မဟုတ်၎င်းတို့ကိုအတူတကွဆက်သွယ်ခွင့်ပြုရန်ချစ်ပ်များအကြားထိုင်နေသောပါးလွှာသောအလွှာတစ်ခုမလိုအပ်ပါ။ Samsung သည် Packaging နည်းပညာအသစ်ကို Saint-D အဖြစ်သတ်မှတ်ပြီး Samsung Advanced Interconnection Technology-D အတွက်တိုတောင်းသည်။
Turnkey ဝန်ဆောင်မှု
တောင်ကိုရီးယားကုမ္ပဏီကို Turnkey အခြေခံပေါ်မှာ 3D HBM ထုပ်ပိုးမှုကိုကမ်းလှမ်းရန်နားလည်သဘောပေါက်သည်။
ထိုသို့ပြုလုပ်ရန်၎င်း၏အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးအဖွဲ့သည် HBM ချစ်ပ်အသင်းများကို၎င်း၏မှတ်ဥာဏ်စီးပွားရေးဌာနတွင်ထုတ်လုပ်သော HBM ချစ်ပ်များကိုထုတ်လုပ်သော GPU များဖြင့် fabless ကုမ္ပဏီများအတွက်တပ်ဆင်ထားသည်။
"3D ထုပ်ပိုးမှုကလျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုနှင့်နှောင့်နှေးမှုလျော့နည်းစေပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးရေးဆိုင်ရာလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးရေးဆိုင်ရာလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးမှု၏လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာအချက်ပြမှုများကိုတိုးတက်စေခြင်းများကိုလျော့နည်းစေသည်" ဟု Samsung 2027 ခုနှစ်တွင် Samsung သည် All-In-One HeterOfeneOfous Element များကို AI accemerters ၏စည်းလုံးညီညွတ်သောအထုပ်တစ်ခုသို့သိသိသာသာတိုးပွားလာသော optical element များကိုတိုးပွားစေမည့် All-in-One HeterOfenogenoUt Integretion Teetnement ကိုမိတ်ဆက်ရန်စီစဉ်ထားသည်။
စွမ်းအင်နိမ့်ကျသည့်ချစ်ပ်များ 0 ယ်လိုအားတိုးပွားလာခြင်းနှင့်အညီ HBM သည် 2024 ခုနှစ်တွင် 2025 ခုနှစ်တွင် MBM ၏ 3025% တွင် 2025 တွင် 21% တွင် 21% တွင်ပြုလုပ်ရန်စီမံကိန်းကိုပြုလုပ်ရန်ဖြစ်သည်။
MGI သုတေသနသည် 3D ထုပ်ပိုးခြင်းအပါအ 0 င်အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးစျေးကွက်ကို 2032 ခုနှစ်တွင်ဒေါ်လာ 34.5 ဘီလီယံနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် 2032 ခုနှစ်တွင်ဒေါ်လာ 80 ဘီလီယံအထိတိုးတက်ခဲ့သည်။
အချိန် Post အချိန် - ဇွန် - 10-2024