မတူညီသောစျေးကွက်များတွင် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှု၏ ကွဲပြားသောဝယ်လိုအားနှင့် ထွက်ရှိမှုသည် ၎င်း၏စျေးကွက်အရွယ်အစားကို ၂၀၃၀ ခုနှစ်တွင် အမေရိကန်ဒေါ်လာ ၃၈ ဘီလီယံမှ ၇၉ ဘီလီယံအထိ မောင်းနှင်နေပါသည်။ ဤတိုးတက်မှုသည် မတူညီသောဝယ်လိုအားနှင့် စိန်ခေါ်မှုများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော်လည်း စဉ်ဆက်မပြတ် အပေါ်သို့တက်နေသော လမ်းကြောင်းကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ ဤစွယ်စုံရအသုံးပြုနိုင်မှုသည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုကို ဆက်လက်တီထွင်ဆန်းသစ်မှုနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ထိန်းသိမ်းနိုင်စေပြီး ထွက်ရှိမှု၊ နည်းပညာဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များနှင့် ပျမ်းမျှရောင်းဈေးများအရ မတူညီသောစျေးကွက်များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။
သို့သော်၊ ဤပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိမှုသည် အချို့သောစျေးကွက်များ ကျဆင်းမှု သို့မဟုတ် အတက်အကျများနှင့် ရင်ဆိုင်ရသည့်အခါ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းအတွက်လည်း အန္တရာယ်များဖြစ်စေပါသည်။ ၂၀၂၄ ခုနှစ်တွင် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုသည် ဒေတာစင်တာစျေးကွက်၏ အလျင်အမြန်တိုးတက်မှုမှ အကျိုးကျေးဇူးရရှိပြီး မိုဘိုင်းကဲ့သို့သော အစုလိုက်အပြုံလိုက်စျေးကွက်များ၏ ပြန်လည်ကောင်းမွန်လာမှုမှာ နှေးကွေးပါသည်။
အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်သည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်အတွင်း အတက်ကြွဆုံးကဏ္ဍခွဲများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ရိုးရာ OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) ထက်ကျော်လွန်သော စီးပွားရေးပုံစံအမျိုးမျိုးပါဝင်ပတ်သက်မှု၊ စက်မှုလုပ်ငန်း၏ မဟာဗျူဟာမြောက် ပထဝီနိုင်ငံရေးဆိုင်ရာ အရေးပါမှုနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ထုတ်ကုန်များတွင် ၎င်း၏အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍတို့ကြောင့်ဖြစ်သည်။
နှစ်စဉ်နှစ်တိုင်းတွင် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်၏ ရှုခင်းကို ပြန်လည်ပုံဖော်ပေးသည့် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်ကန့်သတ်ချက်များ ယူဆောင်လာပါသည်။ ၂၀၂၄ ခုနှစ်တွင်၊ ဤအသွင်ပြောင်းလဲမှုကို လွှမ်းမိုးသည့် အဓိကအချက်များစွာရှိသည်- စွမ်းရည်ကန့်သတ်ချက်များ၊ အထွက်နှုန်းစိန်ခေါ်မှုများ၊ ပေါ်ပေါက်လာသောပစ္စည်းများနှင့် စက်ပစ္စည်းများ၊ အရင်းအနှီးအသုံးစရိတ်လိုအပ်ချက်များ၊ ပထဝီနိုင်ငံရေးစည်းမျဉ်းများနှင့် လုပ်ဆောင်မှုများ၊ သတ်မှတ်ထားသောစျေးကွက်များတွင် ပေါက်ကွဲထွက်လာသောဝယ်လိုအား၊ ပြောင်းလဲနေသောစံနှုန်းများ၊ ဝင်ရောက်လာသူအသစ်များနှင့် ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ အတက်အကျများ။
ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်စိန်ခေါ်မှုများကို ပူးပေါင်းပြီး လျင်မြန်စွာဖြေရှင်းရန် မဟာမိတ်အဖွဲ့အသစ်များစွာ ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ အဓိကအဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာများကို အခြားပါဝင်သူများထံ လိုင်စင်ချထားပေးနေပြီး စီးပွားရေးပုံစံအသစ်များသို့ ချောမွေ့စွာကူးပြောင်းနိုင်စေရန်နှင့် စွမ်းရည်ကန့်သတ်ချက်များကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းရန်ဖြစ်သည်။ ချစ်ပ်စံသတ်မှတ်ချက်ကို ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော ချစ်ပ်အသုံးချမှုများကို မြှင့်တင်ရန်၊ ဈေးကွက်အသစ်များကို စူးစမ်းလေ့လာရန်နှင့် တစ်ဦးချင်းရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုဝန်ထုပ်ဝန်ပိုးများကို လျှော့ချရန်အတွက် ပိုမိုအလေးပေးလာကြသည်။ ၂၀၂၄ ခုနှစ်တွင် နိုင်ငံအသစ်များ၊ ကုမ္ပဏီများ၊ အဆောက်အအုံများနှင့် စမ်းသပ်လိုင်းအသစ်များသည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုကို ကတိကဝတ်ပြုလာကြပြီး ယင်းလမ်းကြောင်းသည် ၂၀၂၅ ခုနှစ်အထိ ဆက်လက်တည်ရှိနေမည်ဖြစ်သည်။
အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုသည် နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာ ပြည့်ဝမှုသို့ မရောက်ရှိသေးပါ။ ၂၀၂၄ ခုနှစ်မှ ၂၀၂၅ ခုနှစ်အတွင်း အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုသည် မှတ်တမ်းတင် အောင်မြင်မှုများကို ရရှိခဲ့ပြီး Intel ၏ နောက်ဆုံးမျိုးဆက် EMIB နှင့် Foveros ကဲ့သို့သော ရှိပြီးသား AP နည်းပညာများနှင့် ပလက်ဖောင်းများ၏ ခိုင်မာသော ဗားရှင်းအသစ်များ ပါဝင်ရန် နည်းပညာအစုစုကို တိုးချဲ့လာခဲ့သည်။ CPO (Chip-on-Package Optical Devices) စနစ်များ၏ ထုပ်ပိုးမှုသည် ဖောက်သည်များကို ဆွဲဆောင်ရန်နှင့် အထွက်နှုန်းကို တိုးချဲ့ရန် နည်းပညာအသစ်များကို တီထွင်နေခြင်းဖြင့် စက်မှုလုပ်ငန်း၏ အာရုံစိုက်မှုကိုလည်း ရရှိနေပါသည်။
အဆင့်မြင့်ပေါင်းစပ်ဆားကစ်အောက်ခံများသည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနှင့်အတူ လမ်းပြမြေပုံများ၊ ပူးပေါင်းဒီဇိုင်းမူများနှင့် ကိရိယာလိုအပ်ချက်များကို မျှဝေခြင်းဖြင့် အခြားအနီးကပ်ဆက်စပ်နေသော စက်မှုလုပ်ငန်းတစ်ခုကို ကိုယ်စားပြုသည်။
ဤအဓိကနည်းပညာများအပြင်၊ "မမြင်ရသော ပါဝါပါဝါ" နည်းပညာများစွာသည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှု၏ ကွဲပြားမှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို မောင်းနှင်နေသည်- ပါဝါပေးပို့မှုဖြေရှင်းချက်များ၊ ထည့်သွင်းနည်းပညာများ၊ အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှု၊ ပစ္စည်းအသစ်များ (ဖန်နှင့် နောက်မျိုးဆက်အော်ဂဲနစ်များကဲ့သို့)၊ အဆင့်မြင့်ချိတ်ဆက်မှုများနှင့် ပစ္စည်းကိရိယာ/ကိရိယာပုံစံအသစ်များ။ မိုဘိုင်းနှင့် စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများမှသည် အတုထောက်လှမ်းရေးနှင့် ဒေတာစင်တာများအထိ၊ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုသည် ၎င်း၏နည်းပညာများကို ဈေးကွက်တစ်ခုစီ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ချိန်ညှိနေပြီး ၎င်း၏ နောက်မျိုးဆက်ထုတ်ကုန်များကို ဈေးကွက်လိုအပ်ချက်များကိုလည်း ဖြည့်ဆည်းနိုင်စေပါသည်။
အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုဈေးကွက်သည် ၂၀၂၄ ခုနှစ်တွင် အမေရိကန်ဒေါ်လာ ၈ ဘီလီယံအထိ ရောက်ရှိရန် ခန့်မှန်းထားပြီး ၂၀၃၀ ပြည့်နှစ်တွင် အမေရိကန်ဒေါ်လာ ၂၈ ဘီလီယံကျော်အထိ ရှိလာမည်ဟု ခန့်မှန်းထားပြီး ၂၀၂၄ မှ ၂၀၃၀ ပြည့်နှစ်အတွင်း နှစ်စဉ်တိုးတက်မှုနှုန်း (CAGR) ၂၃% ကို ထင်ဟပ်စေသည်။ နောက်ဆုံးဈေးကွက်များအရ အကြီးဆုံး မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ထုပ်ပိုးမှုဈေးကွက်မှာ "ဆက်သွယ်ရေးနှင့် အခြေခံအဆောက်အအုံ" ဖြစ်ပြီး ၂၀၂၄ ခုနှစ်တွင် ဝင်ငွေ၏ ၆၇% ကျော်ကို ရရှိခဲ့သည်။ အနီးကပ်လိုက်ကြည့်လျှင် ၅၀% CAGR ဖြင့် အလျင်မြန်ဆုံးတိုးတက်နေသော ဈေးကွက်ဖြစ်သည့် "မိုဘိုင်းနှင့် စားသုံးသူဈေးကွက်" ဖြစ်သည်။
ထုပ်ပိုးမှုယူနစ်များအရ၊ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုသည် ၂၀၂၄ မှ ၂၀၃၀ အထိ ၃၃% CAGR ကို မြင်တွေ့ရမည်ဟု မျှော်လင့်ရပြီး ၂၀၂၄ ခုနှစ်တွင် ယူနစ် ၁ ဘီလီယံခန့်မှ ၂၀၃၀ ခုနှစ်တွင် ယူနစ် ၅ ဘီလီယံကျော်အထိ မြင့်တက်လာမည်ဖြစ်သည်။ ဤသိသာထင်ရှားသော တိုးတက်မှုသည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုအတွက် ကျန်းမာသောဝယ်လိုအားကြောင့်ဖြစ်ပြီး ပျမ်းမျှရောင်းဈေးသည် အဆင့်နိမ့်ထုပ်ပိုးမှုနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သိသိသာသာမြင့်မားပြီး 2.5D နှင့် 3D ပလက်ဖောင်းများကြောင့် ရှေ့မှနောက်သို့ တန်ဖိုးပြောင်းလဲခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။
3D stacked memory (HBM၊ 3DS၊ 3D NAND နှင့် CBA DRAM) သည် အရေးအကြီးဆုံး ပံ့ပိုးကူညီသူဖြစ်ပြီး ၂၀၂၉ ခုနှစ်တွင် ဈေးကွက်ဝေစု၏ ၇၀% ကျော်ကို ရရှိရန် မျှော်လင့်ရသည်။ အလျင်မြန်ဆုံး ကြီးထွားလာသော platform များတွင် CBA DRAM၊ 3D SoC၊ active Si interposers၊ 3D NAND stacks နှင့် embedded Si bridges များ ပါဝင်သည်။
အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်သို့ဝင်ရောက်ရန်အတားအဆီးများသည်ပိုမိုမြင့်မားလာပြီးကြီးမားသော wafer foundry များနှင့် IDM များသည်၎င်းတို့၏ front-end စွမ်းရည်များဖြင့်အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနယ်ပယ်ကိုနှောင့်ယှက်နေသည်။ hybrid bonding နည်းပညာကိုလက်ခံကျင့်သုံးခြင်းသည် OSAT ရောင်းချသူများအတွက်အခြေအနေကိုပိုမိုစိန်ခေါ်မှုဖြစ်စေသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် wafer fab စွမ်းရည်နှင့်အရင်းအမြစ်များစွာရှိသူများသာသိသိသာသာအထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုများနှင့်သိသိသာသာရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုများကိုခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့်ဖြစ်သည်။
၂၀၂၄ ခုနှစ်ရောက်ရင် Yangtze Memory Technologies၊ Samsung၊ SK Hynix နဲ့ Micron တို့ကိုယ်စားပြုတဲ့ memory ထုတ်လုပ်သူတွေဟာ high-end packaging ဈေးကွက်ရဲ့ ၅၄% ကို လွှမ်းမိုးထားမှာဖြစ်ပြီး 3D stacked memory ဟာ ဝင်ငွေ၊ unit output နဲ့ wafer yield တွေမှာ တခြား platform တွေထက် သာလွန်ကောင်းမွန်ပါတယ်။ အမှန်တော့ memory packaging ဝယ်ယူမှုပမာဏဟာ logic packaging ထက် အများကြီးသာလွန်ပါတယ်။ TSMC ဟာ ဈေးကွက်ဝေစု ၃၅% နဲ့ ဦးဆောင်နေပြီး Yangtze Memory Technologies က ဈေးကွက်တစ်ခုလုံးရဲ့ ၂၀% နဲ့ ဒုတိယနေရာမှာ ရှိနေပါတယ်။ Kioxia၊ Micron၊ SK Hynix နဲ့ Samsung လို ဝင်ရောက်လာတဲ့ ကုမ္ပဏီအသစ်တွေဟာ 3D NAND ဈေးကွက်ကို မြန်မြန်ဆန်ဆန် ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ပြီး ဈေးကွက်ဝေစုကို ရယူဖို့ မျှော်လင့်ရပါတယ်။ Samsung က ၁၆% နဲ့ တတိယနေရာမှာ ရှိနေပြီး SK Hynix (၁၃%) နဲ့ Micron (၅%) တို့ကတော့ ဒုတိယနေရာမှာ ရှိနေပါတယ်။ 3D stacked memory ဆက်လက်တိုးတက်ပြောင်းလဲနေပြီး ထုတ်ကုန်အသစ်တွေ မိတ်ဆက်လာတာနဲ့အမျှ ဒီထုတ်လုပ်သူတွေရဲ့ ဈေးကွက်ဝေစုဟာ ကျန်းမာစွာ တိုးတက်လာဖို့ မျှော်လင့်ရပါတယ်။ Intel ကတော့ ၆% နဲ့ ဒုတိယနေရာမှာ ရှိနေပါတယ်။
Advanced Semiconductor Manufacturing (ASE), Siliconware Precision Industries (SPIL), JCET, Amkor နှင့် TF ကဲ့သို့သော ထိပ်တန်း OSAT ထုတ်လုပ်သူများသည် နောက်ဆုံးထုပ်ပိုးမှုနှင့် စမ်းသပ်မှုလုပ်ငန်းများတွင် တက်ကြွစွာပါဝင်နေဆဲဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် ultra-high-definition fan-out (UHD FO) နှင့် mold interposers များကိုအခြေခံသည့် high-end packaging solution များဖြင့် ဈေးကွက်ဝေစုကို သိမ်းပိုက်ရန် ကြိုးစားနေကြသည်။ နောက်ထပ်အဓိကအချက်မှာ ဤလုပ်ဆောင်ချက်များတွင် ပါဝင်မှုကိုသေချာစေရန် ဦးဆောင် foundry များနှင့် integrated device manufacturers (IDMs) များနှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခြင်းဖြစ်သည်။
ယနေ့ခေတ်တွင် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုကို အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းသည် front-end (FE) နည်းပညာများအပေါ် ပိုမိုမှီခိုလာရပြီး hybrid bonding သည် ခေတ်ရေစီးကြောင်းအသစ်တစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာသည်။ BESI သည် AMAT နှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခြင်းဖြင့် ဤခေတ်ရေစီးကြောင်းအသစ်တွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး ဈေးကွက်လွှမ်းမိုးမှုအတွက် ယှဉ်ပြိုင်နေသော TSMC၊ Intel နှင့် Samsung ကဲ့သို့သော ဧရာမကုမ္ပဏီကြီးများသို့ ပစ္စည်းကိရိယာများ ထောက်ပံ့ပေးသည်။ ASMPT၊ EVG၊ SET နှင့် Suiss MicroTech ကဲ့သို့သော အခြားပစ္စည်းကိရိယာပေးသွင်းသူများအပြင် Shibaura နှင့် TEL တို့သည်လည်း ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်၏ အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။
အမျိုးအစားမခွဲခြားဘဲ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသောထုပ်ပိုးမှုပလက်ဖောင်းအားလုံးတွင် အဓိကနည်းပညာခေတ်ရေစီးကြောင်းတစ်ခုမှာ interconnect pitch ကိုလျှော့ချခြင်းဖြစ်သည်—through-silicon vias (TSVs)၊ TMVs၊ microbumps နှင့် hybrid bonding နှင့်ဆက်စပ်နေသောခေတ်ရေစီးကြောင်းဖြစ်ပြီး၊ နောက်ပိုင်းတွင် အအစွန်းရောက်ဆုံးဖြေရှင်းချက်အဖြစ် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ ထို့အပြင်၊ via အချင်းများနှင့် wafer အထူများလည်း လျော့ကျလာမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
ဤနည်းပညာတိုးတက်မှုသည် ပိုမိုမြန်ဆန်သောဒေတာလုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ပို့လွှတ်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ပိုမိုရှုပ်ထွေးသောချစ်ပ်များနှင့် ချစ်ပ်ဆက်များကို ပေါင်းစပ်ရာတွင် အလွန်အရေးကြီးပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှုနှင့် ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးပြီး နောက်ဆုံးတွင် အနာဂတ်ထုတ်ကုန်မျိုးဆက်များအတွက် ပိုမိုမြင့်မားသောသိပ်သည်းဆပေါင်းစပ်မှုနှင့် bandwidth ကို ဖြစ်စေပါသည်။
3D SoC hybrid bonding သည် နောက်မျိုးဆက် အဆင့်မြင့် packaging အတွက် အဓိကနည်းပညာ point တစ်ခုဖြစ်လာပုံရပြီး၊ ၎င်းသည် SoC ၏ မျက်နှာပြင်ဧရိယာကို တိုးမြှင့်ပေးနေစဉ် interconnect pitches များကို ပိုမိုသေးငယ်စေပါသည်။ ၎င်းသည် partitioned SoC die မှ chipset များကို stacking လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော ဖြစ်နိုင်ခြေများကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး heterogeneous integrated packaging ကို ဖြစ်စေပါသည်။ ၎င်း၏ 3D Fabric နည်းပညာဖြင့် TSMC သည် hybrid bonding ကို အသုံးပြု၍ 3D SoIC packaging တွင် ဦးဆောင်သူဖြစ်လာခဲ့သည်။ ထို့အပြင်၊ chip-to-wafer integration ကို HBM4E 16-layer DRAM stacks အနည်းငယ်ဖြင့် စတင်ရန် မျှော်လင့်ရသည်။
Chipset နှင့် heterogeneous ပေါင်းစပ်မှုသည် HEP packaging လက်ခံမှုကို မောင်းနှင်သည့် နောက်ထပ်အဓိကခေတ်ရေစီးကြောင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး လက်ရှိဈေးကွက်တွင် ရရှိနိုင်သော ထုတ်ကုန်များသည် ဤချဉ်းကပ်မှုကို အသုံးပြုကြသည်။ ဥပမာအားဖြင့် Intel ၏ Sapphire Rapids သည် EMIB ကို အသုံးပြုသည်၊ Ponte Vecchio သည် Co-EMIB ကို အသုံးပြုသည်၊ နှင့် Meteor Lake သည် Foveros ကို အသုံးပြုသည်။ AMD သည် ၎င်း၏ တတိယမျိုးဆက် Ryzen နှင့် EPYC ပရိုဆက်ဆာများအပြင် MI300 ရှိ 3D chipset ဗိသုကာကဲ့သို့သော ၎င်း၏ထုတ်ကုန်များတွင် ဤနည်းပညာချဉ်းကပ်မှုကို အသုံးပြုခဲ့သော နောက်ထပ်အဓိကရောင်းချသူဖြစ်သည်။
Nvidia သည် ၎င်း၏ နောက်မျိုးဆက် Blackwell စီးရီးတွင်လည်း ဤချစ်ပ်ဆက်ဒီဇိုင်းကို အသုံးပြုမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ Intel၊ AMD နှင့် Nvidia ကဲ့သို့သော အဓိကရောင်းချသူများက ကြေညာပြီးဖြစ်သည့်အတိုင်း၊ ပိုင်းခြားထားသော သို့မဟုတ် ပုံတူပွားထားသော die များပါဝင်သော package များကို လာမည့်နှစ်တွင် ရရှိနိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ ထို့အပြင်၊ ဤချဉ်းကပ်မှုကို လာမည့်နှစ်များတွင် အဆင့်မြင့် ADAS အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
ယေဘုယျအားဖြင့် 2.5D နှင့် 3D ပလက်ဖောင်းများကို တူညီသော package ထဲသို့ ပိုမိုပေါင်းစပ်ရန်ဖြစ်ပြီး၊ လုပ်ငန်းနယ်ပယ်ရှိ အချို့က 3.5D packaging ဟု ရည်ညွှန်းနေကြပြီဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ 3D SoC ချစ်ပ်များ၊ 2.5D interposers၊ embedded silicon bridges နှင့် co-packaged optics တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသော package များ ပေါ်ပေါက်လာမည်ဟု ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။ 2.5D နှင့် 3D packaging platform အသစ်များသည် HEP packaging ၏ ရှုပ်ထွေးမှုကို ပိုမိုမြင့်မားစေပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ သြဂုတ်လ ၁၁ ရက်