၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၁၃ ရက်နေ့တွင် Resonac သည် Yamagata စီရင်စု၊ Higashine မြို့ရှိ ၎င်း၏ Yamagata စက်ရုံတွင် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများအတွက် SiC (silicon carbide) wafers များအတွက် ထုတ်လုပ်မှုအဆောက်အအုံအသစ်တစ်ခု တည်ဆောက်မည်ဟု ကြေညာခဲ့သည်။ ၂၀၂၅ ခုနှစ် တတိယသုံးလပတ်တွင် ပြီးစီးရန် မျှော်လင့်ရသည်။
စက်ရုံအသစ်သည် ၎င်း၏လက်အောက်ခံကုမ္ပဏီ Resonac Hard Disk ၏ Yamagata စက်ရုံအတွင်းတွင် တည်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး အဆောက်အအုံဧရိယာ ၅,၈၃၂ စတုရန်းမီတာရှိမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် SiC ဝေဖာများ (အလွှာများနှင့် epitaxy) ကို ထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်သည်။ ၂၀၂၃ ခုနှစ် ဇွန်လတွင် Resonac သည် စီးပွားရေးလုံခြုံရေးမြှင့်တင်ရေးအက်ဥပဒေအရ အထူးသဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ (SiC ဝေဖာများ) အတွက် သတ်မှတ်ထားသော အရေးကြီးသောပစ္စည်းများအတွက် ထောက်ပံ့မှုအာမခံအစီအစဉ်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအဖြစ် စီးပွားရေး၊ ကုန်သွယ်ရေးနှင့် စက်မှုဝန်ကြီးဌာနမှ အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်ကို ရရှိခဲ့သည်။ စီးပွားရေး၊ ကုန်သွယ်ရေးနှင့် စက်မှုဝန်ကြီးဌာနမှ အတည်ပြုထားသော ထောက်ပံ့မှုအာမခံအစီအစဉ်တွင် Tochigi စီရင်စု၊ Oyama မြို့၊ Shiga စီရင်စု၊ Hikone မြို့၊ Yamagata စီရင်စု၊ Higashine မြို့နှင့် Chiba စီရင်စု၊ Ichihara မြို့များရှိ SiC ဝေဖာထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို အားကောင်းစေရန်အတွက် ယန်း ၃၀.၉ ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု လိုအပ်ပြီး ယန်း ၁၀.၃ ဘီလီယံအထိ ထောက်ပံ့ကြေးများ လိုအပ်သည်။
၂၀၂၇ ခုနှစ် ဧပြီလတွင် Oyama မြို့၊ Hikone မြို့နှင့် Higashine မြို့များသို့ SiC ဝေဖာများ (အလွှာများ) ကို တစ်နှစ်လျှင် အပိုင်း ၁၁၇,၀၀၀ (၆ လက်မနှင့်ညီမျှ) ဖြင့် စတင်ထောက်ပံ့ပေးရန် အစီအစဉ်ရှိသည်။ Ichihara မြို့နှင့် Higashine မြို့သို့ SiC epitaxial ဝေဖာများ ထောက်ပံ့ပေးခြင်းကို ၂၀၂၇ ခုနှစ် မေလတွင် စတင်မည်ဖြစ်ပြီး တစ်နှစ်လျှင် အပိုင်း ၂၈၈,၀၀၀ (ပြောင်းလဲခြင်းမရှိ) မျှော်မှန်းထားသည့် စွမ်းရည်ဖြင့် စတင်ရန် စီစဉ်ထားသည်။
၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၁၂ ရက်နေ့တွင် ကုမ္ပဏီသည် ယာမာဂါတာစက်ရုံရှိ စီစဉ်ထားသော ဆောက်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းခွင်တွင် အုတ်မြစ်ချပွဲအခမ်းအနားကို ကျင်းပခဲ့သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၁၆ ရက်