2024 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလ 13 ရက်နေ့တွင် Resonac သည် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွက် SiC (ဆီလီကွန်ကာဘိုင်) wafers အတွက် ထုတ်လုပ်မှု အဆောက်အဦအသစ်ကို ၎င်း၏ Yamagata ခရိုင်၊ Yamagata စက်ရုံရှိ Yamagata စက်ရုံတွင် ကြေညာခဲ့သည်။ 2025 ခုနှစ် တတိယသုံးလပတ်တွင် ပြီးစီးမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။
အဆိုပါစက်ရုံသစ်သည် ၎င်း၏လုပ်ငန်းခွဲဖြစ်သည့် Resonac Hard Disk ၏ Yamagata Plant အတွင်းတွင် တည်ရှိပြီး အဆောက်အအုံဧရိယာမှာ 5,832 စတုရန်းမီတာရှိမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် SiC wafers (အလွှာနှင့် epitaxy) ကိုထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်သည်။ 2023 ခုနှစ် ဇွန်လတွင်၊ Resonac သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ (SiC wafers) အတွက် အထူးပြုစီကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ (SiC wafers) အတွက် အရေးကြီးသောပစ္စည်းများအတွက် ထောက်ပံ့မှုအာမခံအစီအစဉ်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအဖြစ် Resonac မှ အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်ရရှိခဲ့သည်။ စီးပွားရေး၊ ကုန်သွယ်ရေးနှင့် စက်မှုဝန်ကြီးဌာနမှ အတည်ပြုထားသော ထောက်ပံ့ရေးအာမခံအစီအစဉ်တွင် SiC wafer ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို အားကောင်းစေရန်အတွက် ယန်း 30.9 ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု လိုအပ်ပါသည်။ Hikone မြို့၊ Shiga စီရင်စု၊ Higashine မြို့၊ Yamagata စီရင်စု၊ ထောက်ပံ့ငွေ ယန်း ၁၀.၃ ဘီလီယံအထိရှိသော Chiba စီရင်စု၊ Ichihara မြို့၊
အစီအစဉ်သည် 2027 ခုနှစ် ဧပြီလတွင် Oyama City၊ Hikone City နှင့် Higashine City သို့ SiC wafers (substrates) များကို နှစ်စဉ် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည် 117,000 (6 လက်မနှင့် ညီမျှသည်) ဖြင့် စတင်ထောက်ပံ့ပေးမည်ဖြစ်ပါသည်။ Ichihara City နှင့် Higashine City သို့ SiC epitaxial wafers များကို 2027 ခုနှစ် မေလတွင် စတင်ရန် စီစဉ်ထားပြီး နှစ်စဉ် 288,000 အပိုင်း (မပြောင်းလဲ) ဖြင့် ခန့်မှန်းထားသည်။
2024 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလ 12 ရက်နေ့တွင် ကုမ္ပဏီသည် Yamagata စက်ရုံရှိ စီစဉ်ထားသော ဆောက်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းခွင်၌ အုတ်မြစ်ချခြင်းအခမ်းအနားကို ကျင်းပခဲ့သည်။
တင်ချိန်- စက်တင်ဘာ ၁၆-၂၀၂၄